时间：2025/9/2 5:10:05
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H5PS1G83EFR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于低功耗DDR3 SDRAM（LPDDR3）类别。该芯片专为移动设备和低功耗应用设计，提供较高的数据传输速率和较低的能耗，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能有较高要求的设备。
容量：1Gb
组织结构：x8/x16
电源电压：1.8V / 1.5V
接口类型：LPDDR3 SDRAM
最大频率：800MHz
封装类型：FBGA
引脚数量：128
工作温度：-40°C ~ 85°C
H5PS1G83EFR 芯片具有多项先进特性，以满足现代移动设备的需求。首先，它采用低功耗设计，支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power-Down）等，有效延长设备电池寿命。
其次，该芯片支持800MHz的高频率运行，提供高达6400MB/s的数据带宽，确保设备在处理高清视频、复杂图形和多任务操作时的流畅性。
此外，H5PS1G83EFR 采用先进的DRAM工艺技术，具备良好的稳定性和可靠性。其128引脚FBGA封装方式不仅提高了封装密度，还减少了PCB布线的复杂度，便于在紧凑空间中安装。
该芯片的工作温度范围为-40°C至85°C，适用于多种环境条件，具备较强的环境适应能力。
H5PS1G83EFR 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的移动设备，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式游戏机和移动计算平台。此外，它也适用于一些对功耗敏感的嵌入式系统和工业控制设备，如车载导航系统、工业自动化控制模块和便携式医疗设备。
H5PS1G83EFR 可以与以下型号互换使用：H5PS1G83EFR-Y6C、H5PS1G83EFR-Y6C-A、H5PS1G83EFR-Y6C-B、H5PS1G83EFR-Y6C-C。
