类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：100V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：11A
　　导通电阻 Rds(on)：0.045Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

MPS6531/D11Z 是一款高性能的功率 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其最大漏源电压为 100V，适用于多种中高压应用场合。该器件的连续漏极电流可达 11A，具备较强的负载能力。
　　此外，MPS6531/D11Z 的栅极驱动电压范围宽，可在 ±20V 内正常工作，增强了其在不同驱动电路中的适应性。其 TO-220 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片的连接，适合高功率密度的设计需求。
　　该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，能够有效减少开关损耗并提升系统响应速度。同时，其高可靠性设计确保了在恶劣工作环境下仍能稳定运行。

MPS6531/D11Z 常用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制和功率放大器等应用场合。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理模块。
　　在开关电源中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器使用，有助于提高转换效率并减少发热。在 DC-DC 转换器中，MPS6531/D11Z 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供稳定高效的电压转换。此外，该器件也适用于工业自动化设备、电源适配器、电动工具和电动车控制系统等应用领域。

IRFZ44N, FDPF6N60, STP12NM60N