时间：2025/8/13 23:11:06
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LMUN5111DW1T1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，内部集成了两个独立的NPN型晶体管。该器件采用SOT-236（也称为SC-74）表面贴装封装，适用于需要双晶体管配置的多种电子电路设计。LMUN5111DW1T1G的设计旨在提供高可靠性、低功耗和紧凑的解决方案，适合用于信号处理、放大、开关控制等应用。
类型：双NPN晶体管阵列
最大集电极电流（IC）：100 mA
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
最大基极电流（IB）：5 mA
最大功耗（PD）：200 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-236（SC-74）
LMUN5111DW1T1G具有多个关键特性，使其在各种电子设计中广泛应用。首先，其集成了两个独立的NPN晶体管，允许设计者在同一个芯片上实现复杂的电路功能，减少PCB空间占用并提高系统集成度。每个晶体管具有相同的电气特性，确保了在对称电路设计中的性能一致性。
其次，该器件的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压为30 V，能够支持中等功率的开关和放大应用。此外，其低功耗特性使得该器件适用于电池供电设备和便携式电子产品。
LMUN5111DW1T1G被广泛应用于多个电子系统领域。首先，在数字电路中，该器件可用于构建双稳态或多谐振荡器等逻辑电路，实现信号处理和时序控制功能。其次，在模拟电路中，LMUN5111DW1T1G可以用于构建差分放大器、电压跟随器和电流源等基础模拟模块，提供良好的线性放大性能。
BC847BS, MBT3946DW1T1G, MMBT2222AWT1G
