时间：2025/4/29 17:29:40
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MPCET-S5201-TP68 是一款基于增强型硅基氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管。该器件采用常关型设计，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
其封装形式为 TO-247-4L，能够有效提升散热性能并支持大电流操作。此外，该芯片内置了过温保护与过流保护功能，从而提高了系统的可靠性和安全性。
额定电压：650V
额定电流：20A
导通电阻：9mΩ（典型值）
栅极电荷：55nC（最大值）
开关频率范围：高达 5MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
1. 使用增强型氮化镓技术，提供比传统硅 MOSFET 更高的效率和更低的损耗。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持较低的功耗。
3. 高频开关能力使得 MPCET-S5201-TP68 可以显著减小无源元件尺寸，例如电感和变压器，进而降低整体系统成本。
4. 内置多重保护机制，包括过温保护和过流保护，增强了器件在恶劣环境中的稳定性。
5. 宽泛的工作温度范围使其适用于工业、汽车及消费类电子设备的各种应用场景。
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关模式电源（SMPS）
3. 无线充电系统
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车车载充电器（OBC）
6. 工业电机驱动控制
7. 快速充电适配器
