时间：2025/4/30 11:48:36
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MPCET-S5201-TP40 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET 模块，专为高效率和高频开关应用设计。该模块采用了先进的 SiC 技术，能够显著降低开关损耗和导通损耗，同时支持更高的工作温度范围和更小的封装尺寸，非常适合工业电源、太阳能逆变器、电动汽车驱动系统等高性能应用。
该器件具有双通道结构，集成两个独立的功率 MOSFET，可以用于半桥或全桥拓扑中。此外，它还提供了增强的热性能和电气隔离特性，以确保在恶劣环境下的稳定运行。
额定电压：1200V
额定电流：40A
Rds(on)（导通电阻）：7.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：960pF
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-247-4L
1. 基于碳化硅 (SiC) 技术，具备低开关损耗和低导通损耗的特点。
2. 高额定电压（1200V），适用于高压应用场景。
3. 支持高达 175°C 的最大工作结温，提供卓越的高温稳定性。
4. 封装采用 TO-247-4L，带有电气隔离功能，适合各种复杂电路设计。
5. 内置两个独立的功率 MOSFET，可灵活配置为半桥或全桥拓扑。
6. 具有较低的栅极电荷和输入电容，有助于提高开关速度并减少电磁干扰 (EMI)。
7. 热性能优越，散热效率高，能有效延长使用寿命。
1. 工业电源转换系统，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 太阳能逆变器中的功率级开关元件。
3. 电动汽车电机驱动系统中的主逆变器模块。
4. 不间断电源 (UPS) 和其他高可靠性电源设备。
5. 高频软开关电路，如 LLC 谐振变换器。
6. 充电器及储能系统的功率管理部分。
MPCET-S5201-TP60
MPCET-S5201-TP80
