D30SC4M 时间：2025/9/11 4:23:13 阅读：10

D30SC4M是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，广泛应用于需要高效能开关操作的电子电路中。该器件采用先进的沟槽式栅极结构设计，能够提供较低的导通电阻和快速的开关特性，从而降低导通损耗和开关损耗。D30SC4M适用于高频率操作环境，广泛用于电源转换器、马达控制、电池管理系统、DC-DC转换器以及各种高功率电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（典型值更低）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）或TO-220
　　最大功耗（PD）：100W
　　栅极电荷（Qg）：约60nC
　　输入电容（Ciss）：约2000pF

特性

D30SC4M的主要特性包括非常低的导通电阻，这使得它在导通状态下的功率损耗极低，提高了系统的整体效率。其高耐压能力（40V）使其适用于多种中高功率应用，如DC-DC转换器、电源管理和电机驱动电路。该器件采用的沟槽式栅极技术不仅降低了RDS(on)，还提升了器件的热稳定性，从而延长了使用寿命。
　　此外，D30SC4M具有较高的雪崩能量耐受能力，可以在瞬态过电压条件下提供一定的保护功能。该MOSFET的封装形式为TO-263或TO-220，具有良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用。其快速的开关特性减少了开关过程中的能量损耗，特别适合高频率开关应用，如开关电源（SMPS）和同步整流电路。
　　由于其高可靠性、低损耗和优异的热性能，D30SC4M在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中均有广泛应用。此外，其栅极驱动要求相对较低，兼容常见的10V至15V驱动电路，简化了外围电路设计。

应用

D30SC4M主要用于需要高效能功率开关的场合，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、马达控制电路、LED驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也适用于车载电子系统，如汽车的起停系统、电动助力转向系统等，得益于其在高温环境下的稳定表现。

替代型号

D30SC4M的替代型号包括IRF30SC4M（英飞凌/IR生产）、SiS30SC4M-T1-GE3（Vishay/SiS）、FDMS3045（ON Semiconductor）、TKA3040（Toshiba另一型号，性能接近）等。这些替代型号在参数上与D30SC4M相近，但可能在封装、驱动要求或封装热阻方面略有差异，需根据具体应用场景进行评估。