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BUK9Y7R2-60E,115 发布时间 时间:2025/9/14 11:14:49 查看 阅读:4

BUK9Y7R2-60E,115 是一款由Nexperia(安世半导体)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的电源管理系统,适用于广泛的工业、汽车及消费类电子产品应用。该MOSFET采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下稳定运行。其封装形式为TO-220,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在严苛环境下使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):150A
  导通电阻(Rds(on)):7.2mΩ(典型值)
  功耗(Pd):250W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:TO-220
  引脚数:3
  技术:Trench MOSFET

特性

BUK9Y7R2-60E,115 采用Nexperia的Trench沟槽技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。其Rds(on)典型值为7.2mΩ,在高电流应用中能够有效降低功耗,减少发热。该器件的最大漏极电流可达150A,适用于高功率密度的电源设计。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽,支持4.5V至20V的Vgs电压,兼容多种驱动电路设计,提升了设计灵活性。
  此外,BUK9Y7R2-60E,115 具有良好的热稳定性和抗短路能力,能够在高温环境下稳定运行,提高了系统的可靠性。其TO-220封装提供了良好的散热性能,适用于需要高效散热的高功率应用场景。该器件还具备较低的开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其封装结构也确保了良好的电气隔离和机械强度,增强了器件在恶劣环境下的耐用性。

应用

BUK9Y7R2-60E,115 广泛应用于各种高功率和高效率电源管理系统。其主要应用包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电动工具、工业自动化设备以及汽车电子系统。在汽车应用中,该器件适用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)以及车载逆变器等场景。此外,它也常用于高功率LED驱动、服务器电源、电信设备和储能系统等领域。由于其具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗,因此特别适用于需要高能效比和高可靠性的设计。

替代型号

BUK9Y7R2-60E,115 可以替代的型号包括:Infineon的IRF1405、STMicroelectronics的STP150N6F7、ON Semiconductor的NTMFS4C10N、以及Vishay的SiR178DP。

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BUK9Y7R2-60E,115参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥11.13000剪切带(CT)1,500 : ¥5.06478卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.6 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5026 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)167W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669