时间：2025/8/17 21:02:53
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MPC1825A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。MPC1825A 采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK，便于散热和集成。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：@ Vgs = 10V 时为 0.018Ω
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220、D2PAK
MPC1825A 具有出色的电气性能和热稳定性，适用于高功率密度设计。
其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
该器件支持高电流能力，适用于需要大电流输出的应用，如电动工具、工业电机驱动和电源管理系统。
此外，MPC1825A 具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在高压瞬态环境下的可靠性。
由于其封装设计具有良好的散热性能，MPC1825A 可在高环境温度下持续工作，适用于苛刻的工作条件。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频 PWM 控制，有助于减小外围元件尺寸并提升响应速度。
MPC1825A 主要应用于电源管理系统、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制器以及工业自动化设备等场景。其高可靠性和高效率特性使其成为高性能电源设计的理想选择。
IRFZ44N、IRF3205、Si4410DY、MPC1826A
