时间：2025/12/25 6:15:07
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IRFR4105PBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率的功率转换应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。IRFR4105PBF采用先进的功率MOSFET技术，适用于各种需要高效能、高可靠性的电子系统。其封装形式为D2PAK，便于散热和安装。
类型：N沟道
最大漏极电流：120A
最大漏源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大）
栅极电荷：88nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK
IRFR4105PBF具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET的高电流容量允许其在高功率应用中稳定运行，最大漏极电流可达120A。这种器件还具有优异的热性能，能够有效散热，确保长时间运行的可靠性。
IRFR4105PBF的高开关速度使其适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提高了系统效率。其栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的复杂性和功耗。此外，该MOSFET的D2PAK封装形式不仅提供了良好的散热性能，还简化了安装过程，适合在空间有限的环境中使用。
IRFR4105PBF广泛应用于多个领域，包括电源转换、电机控制、电池管理系统和汽车电子等。在电源转换应用中，该MOSFET可用于DC-DC转换器、AC-DC电源和UPS系统，提供高效能和高可靠性。在电机控制中，IRFR4105PBF可用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机，实现精确的速度和位置控制。
SiR182DP-T1-GE3, IRF1405PBF, FDP1405N
