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IRFBC30APBF 发布时间 时间:2025/4/30 17:57:00 查看 阅读:23

IRFBC30APBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-264-3封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等功率管理领域。
  这款MOSFET通过其低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升效率并减少能量损耗。此外,它具有较高的雪崩击穿能力,从而增强了系统的可靠性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:8.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRFBC30APBF 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流应用中降低功耗。
  2. 高雪崩击穿能力和强鲁棒性,适合恶劣环境下的应用。
  3. 快速开关性能,支持高频操作以提高效率。
  4. 符合RoHS标准,环保且适用于现代设计需求。
  5. 大电流处理能力,满足工业级和汽车级功率应用要求。

应用

IRFBC30APBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
  3. 工业自动化设备中的逆变器和变频器。
  4. 汽车电子系统,如启动电机和发电机控制。
  5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源解决方案。

替代型号

IRFBC30PBF, IRFBC30G

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IRFBC30APBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.2 欧姆 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大74W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFBC30APBF