IRFBC30APBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-264-3封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等功率管理领域。
这款MOSFET通过其低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升效率并减少能量损耗。此外,它具有较高的雪崩击穿能力,从而增强了系统的可靠性。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
导通电阻:8.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
IRFBC30APBF 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流应用中降低功耗。
2. 高雪崩击穿能力和强鲁棒性,适合恶劣环境下的应用。
3. 快速开关性能,支持高频操作以提高效率。
4. 符合RoHS标准,环保且适用于现代设计需求。
5. 大电流处理能力,满足工业级和汽车级功率应用要求。
IRFBC30APBF 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
3. 工业自动化设备中的逆变器和变频器。
4. 汽车电子系统,如启动电机和发电机控制。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源解决方案。
IRFBC30PBF, IRFBC30G