MP171GJ-Z 时间：2025/8/20 2:16:34 阅读：25

MP171GJ-Z是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和高效率开关应用。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高温和高负载条件下稳定运行。MP171GJ-Z的封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适合表面贴装工艺，符合现代电子设备对小型化和高集成度的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP
　　功率耗散(Pd)：150W

特性

MP171GJ-Z的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)最大仅为4.5mΩ，这使得该器件在高电流应用中表现尤为出色。
　　此外，该MOSFET支持高达60A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其沟槽式结构不仅提高了电流承载能力，还优化了热性能，确保器件在高温环境下仍能可靠运行。
　　MP171GJ-Z的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准逻辑电平驱动器，便于集成到各种控制电路中。该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　封装方面，TSOP封装具有较小的体积和良好的热管理能力，适合高密度PCB布局。该封装还具备优良的焊接可靠性和可制造性，适用于自动化贴片工艺。
　　该MOSFET的热阻（Rth）较低，确保在大功率工作时能有效散热，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。此外，MP171GJ-Z具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力，适用于严苛的工业和汽车电子环境。

应用

MP171GJ-Z广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在汽车电子领域，MP171GJ-Z可用于车载电源管理系统、车载充电器（OBC）、电池保护电路以及启停系统中的高侧开关。其高可靠性和宽工作温度范围使其成为汽车应用的理想选择。
　　此外，该MOSFET也常用于服务器电源、通信设备电源模块、太阳能逆变器以及UPS（不间断电源）系统中的功率转换环节。由于其具备良好的热管理和高效能特性，MP171GJ-Z同样适用于需要长时间高负载工作的工业控制系统。
　　在消费类电子产品中，MP171GJ-Z可用于高性能笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器中的功率管理电路，提供稳定的电源转换和高效的能量利用。