KR52S030M 时间：2025/12/28 14:32:59 阅读：11

KR52S030M 是一款由韩国公司KEC（Korea Electronics Corporation）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高效率电源管理、DC-DC转换器、电池充电系统以及电机控制等应用中。KR52S030M 具有低导通电阻、高电流承载能力和高工作电压的特点，适合于中高功率的电子系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：3.0mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　最大功耗(Pd)：100W
　　输入电容(Ciss)：1700pF（典型值）

特性

KR52S030M MOSFET具备多个关键特性，使其适用于各种高功率应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为3.0mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件能够承受高达50A的连续漏极电流，支持大电流工作条件下的稳定运行。
　　此外，KR52S030M采用了TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，有助于在高负载情况下保持较低的工作温度。这种封装方式也便于在PCB上安装和焊接，适用于表面贴装技术（SMT），提高了生产效率。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的温度适应性和稳定性，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场景。其高栅源电压耐受能力（±20V）也增强了在复杂电路环境下的可靠性，降低了因过压导致器件损坏的风险。
　　此外，KR52S030M具有较低的输入电容（Ciss为1700pF），有助于减少开关过程中的延迟和损耗，从而实现更高的开关频率和更紧凑的电路设计。这些特性使其成为高性能电源转换系统中理想的功率开关元件。

应用

KR52S030M MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中。例如，在DC-DC转换器和同步整流器中，它能够提供高效的能量转换，提高整体系统的效率。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电控制，确保电池组的安全运行。
　　此外，KR52S030M适用于电机驱动电路，如电动工具、电动车控制器和工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热稳定性和高电流能力，该器件也常用于高功率LED驱动、逆变器以及不间断电源（UPS）系统。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座中，KR52S030M可用于负载开关或电源管理单元，实现对高电流负载的快速响应与控制。其高可靠性和紧凑封装也使其适用于空间受限的设计。