时间：2025/8/9 13:19:38
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2SK2691-01R是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种高效率电源系统中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性。其封装形式为SOP（小外形封装），适用于表面贴装技术，便于自动化生产和紧凑型电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.5mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55℃至+150℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOP（具体封装尺寸可参考数据手册）
2SK2691-01R采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡。其最大导通电阻仅为5.5mΩ，确保在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的漏源击穿电压为30V，能够承受较高的电压应力，适用于各种中低压功率应用。
该MOSFET的栅极氧化层设计可承受±20V的栅源电压，提高了器件在复杂电路环境中的可靠性。其最大连续漏极电流可达100A，在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于高功率密度设计。封装方面，采用SOP封装形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。
2SK2691-01R的工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于工业级和汽车电子应用。其高耐压能力和低导通电阻使其在DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和负载开关等应用中表现出色。此外，该器件具有快速开关能力，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。
2SK2691-01R适用于多种电源管理和功率控制应用。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及各类工业和汽车电子设备中的高侧或低侧开关。其高电流能力和低导通电阻也使其成为高性能电源模块和电源管理系统中的理想选择。
2SK2691-01R的替代型号包括2SK2690-01R、Si4410DY、IRF150N、NTMFS5C428NWT等。这些型号在电气性能、封装形式和应用场景上与2SK2691-01R相近，可根据具体设计需求进行替换。
