类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：18A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：3.0~5.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　功耗（PD）：200W（TO-220封装）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-247

18NM60具备出色的电气特性和热管理能力，其核心优势之一是低导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为0.22Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于高负载条件下的能量转换尤为重要，特别是在连续大电流工作的场景中，如PFC电路和反激式开关电源中，能够显著减少发热并提升可靠性。此外，该器件具有较高的击穿电压（600V），可适应宽范围的输入电压波动，适用于全球通用的交流输入环境（85VAC~265VAC）。其栅极阈值电压在3.0V至5.0V之间，确保了与标准驱动电路的良好兼容性，同时避免因过低阈值导致的误触发问题。
　　该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，优化了载流子迁移路径，提升了开关速度，从而减少了开关过程中的交越损耗。输入电容和输出电容较小，使得驱动电路所需提供的驱动功率较低，有利于简化驱动设计并降低成本。此外，器件具备良好的抗雪崩能力和重复性雪崩能量承受能力，可在突发短路或浪涌电压情况下保护自身及整个系统不受损坏。其封装形式（如TO-220/TO-247）具有优良的散热性能，便于安装散热片，进一步增强热稳定性。
　　在可靠性方面，18NM60经过严格的质量测试，符合RoHS环保要求，并具备高抗湿性、抗振动和长期老化稳定性，适用于工业控制、照明电源、适配器等多种严苛应用环境。同时，其内部结构设计有效抑制了寄生双极晶体管的导通风险，防止二次击穿现象发生，延长了使用寿命。总体而言，18NM60是一款兼顾高性能、高可靠性和成本效益的理想功率开关器件。

18NM60广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效能和高稳定性的电力电子设备。常见应用场景包括：离线式反激变换器（Flyback Converter），用于手机充电器、笔记本电脑适配器和小家电电源模块，在此类应用中，18NM60作为主开关管承担能量传递任务，利用其600V耐压和低RDS(on)实现高效率转换；在有源功率因数校正（PFC）电路中，它作为升压斩波开关使用，帮助提高电网侧的功率因数，降低谐波失真，满足EMI法规要求。
　　此外，该器件也常用于LED恒流驱动电源，特别是在户外照明和商业照明系统中，提供稳定的高压直流输出。在逆变器和UPS不间断电源系统中，18NM60可用于DC-AC转换阶段的初级侧开关元件，支持高频切换以减小磁性元件体积。工业电机控制、电焊机电源、小型变频器等设备中也能见到其身影，执行直流斩波或桥式拓扑中的开关功能。
　　由于其良好的热性能和电气鲁棒性，18NM60还被用于空调、洗衣机、冰箱等白色家电的内置开关电源模块中，保障长时间运行的稳定性。在太阳能微逆变器和储能系统的小型化电源单元中，该器件同样表现出色，支持宽输入电压范围和高效能量转换需求。总之，凡是涉及600V以内高压开关操作且对效率和可靠性有较高要求的应用，18NM60都是一个值得信赖的选择。

FQA19N60C, K2163, 2SK2163, STX19N60FD, IRFBG60