类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：200mΩ
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB/TO-263（D2PAK）
　　技术工艺：先进沟槽技术
　　极性：N沟道
　　输入电容(Ciss)：2000pF
　　反向传输电容(Crss)：200pF
　　输出电容(Coss)：900pF
　　短路耐受能力：具备
　　热阻(RθJA)：1.3°C/W
　　热阻(RθJC)：0.5°C/W

MOS1/2CT26A201J 200R/5是一款高性能的功率MOSFET，采用了先进的沟槽式(Trench)制造工艺，显著降低了导通电阻(Rds(on))，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。这种低Rds(on)特性使其在高电流负载条件下依然能保持较低的功耗，有效提升了散热性能。
　　此外，该MOSFET具备高耐压能力，最大漏源电压(Vds)可达60V，适用于多种中高功率应用场合。其栅极驱动电压兼容5V逻辑电平，适用于现代微控制器和数字电源管理系统的控制需求。同时，MOS1/2CT26A201J的封装设计优化了散热路径，采用了TO-220AB或TO-263（D2PAK）等封装形式，便于在PCB上安装和散热管理。
　　该器件还具有较强的短路耐受能力，能够在极端工况下提供额外的可靠性保障。其输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)分别为2000pF和900pF，这使得开关速度较快，减少了开关损耗，提升了整体系统效率。此外，反向传输电容(Crss)为200pF，有助于减少米勒效应带来的寄生导通风险，从而提高电路的稳定性。
　　热阻方面，MOS1/2CT26A201J的RθJA为1.3°C/W，RθJC为0.5°C/W，表明其具有良好的热传导性能，适用于高功率密度设计。整体而言，这款MOSFET在性能、可靠性和热管理方面都表现出色，是工业电源、电动工具、DC-DC转换器、马达驱动等应用的理想选择。

MOS1/2CT26A201J 200R/5由于其高电流承载能力、低导通电阻和5V驱动兼容性，广泛应用于多个高功率电子系统中。在开关电源(SMPS)中，该器件可作为主功率开关或同步整流器使用，提高电源效率并减少发热。
　　在电机控制领域，该MOSFET可用于直流电机驱动器、无刷直流电机(BLDC)控制器以及电动工具的功率级电路中，提供快速响应和稳定输出。此外，MOS1/2CT26A201J也适用于电池管理系统(BMS)，特别是在锂电池组的充放电保护电路中，能够高效控制大电流的通断，确保电池组的安全运行。
　　在DC-DC转换器方面，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，用于升压(Boost)、降压(Buck)或反相转换器拓扑结构中，实现高效能的电压转换。其良好的热管理特性和高可靠性也使其适用于工业自动化设备、UPS不间断电源系统以及LED照明驱动电路等场合。

IRFZ44N, STP60NF06, FDP6030L, FQP60N06, Si4410DY