类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　最大漏-源电压（VDS）：180V
　　导通电阻（RDS(on)）：12.7mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：240nC
　　功耗（Ptot）：400W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247AC

MNG18-187DFIK 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。该器件的栅极电荷较低，从而降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。MNG18-187DFIK 还具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在突发过电压情况下的可靠性。封装方面，TO-247AC 是一种常用的功率封装形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以实现高效的热管理。
　　另外，该MOSFET采用了先进的硅技术，确保了在高压和高电流条件下的稳定性和长期可靠性。其快速开关特性使其非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等应用。同时，MNG18-187DFIK 的设计也考虑了EMI（电磁干扰）控制，有助于降低系统噪声并提高整体电磁兼容性。

MNG18-187DFIK 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。例如，在工业电源系统中，该MOSFET可作为主开关用于DC-DC转换器或AC-DC整流器的同步整流部分。在电机驱动器中，MNG18-187DFIK 可作为H桥结构的开关器件，提供高效的功率输出。在可再生能源系统如太阳能逆变器中，该器件可用于直流侧的功率转换，提高能源转换效率。此外，它也适用于电池管理系统、不间断电源（UPS）、焊接设备和电动汽车充电模块等应用。由于其优异的开关特性和热稳定性，MNG18-187DFIK 在高频率开关应用中表现出色，能够有效减少系统损耗并提升整体性能。

IXFH180N18T2, IXFN180N180T, STY180N180K5, APT180N180BD