MN12821-Q是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动以及负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度方面表现出色,能够有效降低功耗并提升系统效率。
该器件具有出色的热性能和电气特性,适用于对效率和可靠性要求较高的应用场合。
型号:MN12821-Q
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):175W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
MN12821-Q具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
2. 高速开关能力,支持高频操作。
3. 较高的漏源击穿电压,增强了系统的安全性和稳定性。
4. 大电流处理能力,可满足高功率应用场景的需求。
5. 优秀的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
6. 提供多种保护机制,例如过流保护和短路耐受能力,从而提高器件的鲁棒性。
MN12821-Q广泛用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
3. 负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 可再生能源系统中的逆变器和控制器组件。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP30NF06