时间：2025/8/20 11:28:53
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W29N01HVSIAA 是一款由 Winbond 公司推出的 NAND 闪存芯片，容量为 1 Gbit（128 MB），专为需要高存储密度和低功耗特性的嵌入式应用设计。该芯片采用了标准的 NAND 接口，支持高速数据读写操作，适用于工业控制、消费电子、物联网设备以及车载系统等领域。W29N01HVSIAA 采用 52-TFBGA 封装，具有高可靠性和良好的耐用性。
容量：1 Gbit
存储架构：NAND Flash
电压范围：2.3V - 3.6V
接口类型：NAND
封装类型：52-TFBGA
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
读取电流（最大）：5mA
待机电流（最大）：10uA
编程/擦除电压：内部电荷泵生成
编程页数（每块）：64 页
擦除块数：2048 块
页面大小：2112 字节（2048 + 64 字节）
W29N01HVSIAA NAND 闪存芯片具有多项先进的技术特性，确保其在各种应用场景下的稳定性和高效性。首先，该芯片采用 3 微米浮栅工艺技术，具备良好的数据保持能力，即使在极端温度条件下也能确保数据的长期存储稳定性。其内置的电荷泵能够生成编程和擦除所需的高压，无需外部提供额外的电压源，简化了电路设计并降低了功耗。
该芯片支持页读取、编程和块擦除操作，其中页面大小为 2112 字节（包含 2048 字节主数据和 64 字节冗余区域），适用于存储各种类型的数据，包括固件、图像和日志文件等。其擦除块数量为 2048 块，每块包含 64 页，提供了灵活的数据管理方式。
此外，W29N01HVSIAA 支持高速 NAND 接口，最大读取电流为 5mA，待机电流低至 10uA，使其非常适合用于对功耗敏感的嵌入式设备。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，确保其在工业环境中的可靠运行。封装形式为 52-TFBGA，体积小巧，适合高密度 PCB 布局。
W29N01HVSIAA NAND 闪存芯片广泛应用于多种嵌入式系统和便携式设备中，例如工业控制器、智能仪表、家用电器、安防摄像头、无线通信模块、车载导航系统以及物联网终端设备。由于其高容量、低功耗和宽温工作特性，特别适合用于需要长期稳定运行的工业和车载应用场景。在消费电子领域，该芯片可作为固件存储介质，用于启动代码、配置数据和用户数据的存储。此外，其高耐用性和数据保持能力也使其适用于需要频繁读写操作的日志记录设备和数据采集系统。
MT29F1G01ABAFDWB, KMNV1001DCB_B214, GD5F1GQ4UCYIG
