KF6N60I 时间：2025/12/28 14:45:41 阅读：14

KF6N60I 是一款由Kexin Semiconductor（科兴半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻和高耐压能力。KF6N60I广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动以及各种功率电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：6A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.5Ω（最大2.0Ω）
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　漏极功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等

特性

KF6N60I具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性。KF6N60I在高温环境下依然能够保持稳定的性能，适合在恶劣工业环境下使用。此外，其高栅极击穿电压（±30V）增强了抗干扰能力，提高了器件在高频开关应用中的可靠性。KF6N60I的多种封装形式可选，适应了不同电路设计和散热需求，如TO-220适用于标准插件安装，而TO-251和TO-252则适合表面贴装和紧凑型设计。
　　KF6N60I还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护作用，增强系统的稳定性。其低栅极电荷（Qg）和漏源电荷（Qds）特性使其适用于高频开关电路，有助于减少开关损耗并提高整体能效。此外，KF6N60I在制造过程中严格遵循国际环保标准，符合RoHS指令要求，适用于绿色环保电子产品设计。