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STP6N120K3 发布时间 时间:2024/8/16 14:53:45 查看 阅读:278

这些器件是通过优化意法半导体成熟的条形PowerMESH?布局获得的N沟道SuperMESH?功率MOSFET。除了显著降低电阻外,还特别注意确保非常好的动态性能,以及非常大的雪崩能力,以满足最苛刻的应用需求。

应用说明

100%雪崩测试
  超大雪崩性能
  栅极电荷最小化
  非常低的固有电容
  齐纳保护

技术参数

针脚数:3
  漏源极电阻:1.95Ω
  极性:N-Channel
  耗散功率:150 W
  阈值电压:4 V
  漏源极电压(Vds):1.2 kV
  连续漏极电流(Ids):6A
  输入电容(Ciss):1050pF 100V(Vds)
  额定功率(Max):150 W
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):150W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.4 mm
  宽度:4.6 mm
  高度:14.9 mm
  封装:TO-220-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free
  REACH SVHC标准:No SVHC

其他说明

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube
  制造应用:Industrial,电源管理,工业,Power Management

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STP6N120K3参数

  • 其它有关文件STP6N120K3 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH3™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.4 欧姆 @ 2.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1050pF @ 100V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件
  • 工具箱497-8014-KIT-ND - KIT WIDE INPUT MOSFET 12VALUES
  • 其它名称497-12123