时间：2024/8/16 14:53:45
阅读：272
这些器件是通过优化意法半导体成熟的条形PowerMESH?布局获得的N沟道SuperMESH?功率MOSFET。除了显著降低电阻外，还特别注意确保非常好的动态性能，以及非常大的雪崩能力，以满足最苛刻的应用需求。
100%雪崩测试
超大雪崩性能
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
齐纳保护
针脚数：3
漏源极电阻：1.95Ω
极性：N-Channel
耗散功率：150 W
阈值电压：4 V
漏源极电压(Vds)：1.2 kV
连续漏极电流(Ids)：6A
输入电容(Ciss)：1050pF 100V(Vds)
额定功率(Max)：150 W
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：150W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.4 mm
宽度：4.6 mm
高度：14.9 mm
封装：TO-220-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
REACH SVHC标准：No SVHC
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：Industrial,电源管理,工业,Power Management
