类型: NPN 双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）: 100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）: 50V
　　最大功耗（Pd）: 300mW
　　电流增益（hFE）: 100 - 800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）: 100MHz
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　封装类型: SOT-23

MMUN2110RLT1 的一大特点是其内置的偏置电阻网络，使得该晶体管可以直接与逻辑电路连接，无需额外的偏置电路设计，从而简化了整体电路的复杂度。
　　该器件的 hFE（电流增益）范围较宽，从100到800，用户可以根据具体的应用需求选择合适的型号，从而在不同应用场景下实现最佳性能。
　　此外，MMUN2110RLT1 具备良好的频率响应特性，在100MHz范围内依然保持较高的增益性能，适合用于高频放大和开关应用。
　　由于其采用 SOT-23 小型封装，因此非常适合用于便携式设备、通信模块、传感器接口和嵌入式控制系统等空间受限的应用场景。
　　该晶体管还具备良好的热稳定性和较低的饱和压降（Vce_sat），有助于减少功耗并提高整体系统的效率和可靠性。

MMUN2110RLT1 主要用于各种通用开关和放大电路中。由于其内置偏置电阻，非常适合用于数字逻辑电路与模拟电路之间的接口应用，例如将微控制器的输出信号转换为适合驱动继电器、LED 或其他负载的信号。
　　它也常用于传感器电路中的信号放大，比如温度传感器、光传感器等，能够有效放大微弱的模拟信号以供后续处理。
　　在通信系统中，MMUN2110RLT1 可用于射频前端电路的低噪声放大或中频放大模块。
　　此外，该晶体管还广泛应用于电源管理电路、电机控制、继电器驱动以及音频放大器等场景。
　　对于需要低功耗和高集成度的设计，MMUN2110RLT1 是一个非常理想的选择，尤其在消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子模块和物联网设备中都有广泛应用。

MMUN2111RLT1, MMUN2112RLT1, 2N3904, BC547