类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-123
　　标称齐纳电压（Vz）：3.3V
　　齐纳电压容差：±2%
　　最大齐纳电流（Izmax）：200mA
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　引脚数：2

MMSZ5226B T/R具备多项优良特性，适用于多种电子电路设计需求。其齐纳电压为3.3V，误差控制在±2%以内，确保了电压参考的精度。该器件的最大齐纳电流为200mA，能够承受一定的负载波动，适合用于中等功率的稳压电路。其最大功耗为300mW，配合SOD-123的小型封装，在保证性能的同时实现了空间节省。
　　此外，MMSZ5226B具有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），能够在极端环境下保持稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、便携式设备等对环境适应性要求较高的场景。其封装形式易于实现自动化贴片生产，提高了生产效率和装配精度。
　　作为ON Semiconductor的标准化产品，MMSZ5226B T/R具有良好的批次一致性，便于大规模应用和替换。其结构设计优化了动态阻抗和温度系数，进一步提升了稳压性能。此外，该器件响应速度快，适合用于瞬态电压抑制和信号钳位保护电路。

MMSZ5226B T/R 主要用于以下应用场景：在电源管理电路中作为基准电压源，为比较器、运算放大器等模拟电路提供稳定的参考电压；在电池供电设备中用于电压检测和保护电路；在数字系统中作为电平转换或钳位元件，防止信号过压损坏后续电路；也可用于温度补偿电路、电压监测模块和低功耗稳压器等。
　　由于其良好的稳定性和宽温度范围，MMSZ5226B T/R 广泛应用于消费电子、通信设备、工控仪表、汽车电子、安防系统等领域。例如，在嵌入式系统中用于MCU的电压参考源，在LED驱动电路中作为限压元件，或在传感器电路中用于信号调理和稳压。

MMSZ5226BLT1G, MMSZ5226BS, MMSZ5226B-G