ST36N10D 时间：2025/6/30 18:38:35 阅读：3

ST36N10D是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用了先进的DMOS技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。它适用于多种电源管理和电机驱动应用，能够在高电流和高电压条件下稳定工作。
　　ST36N10D主要设计用于需要高效能、低损耗的电力转换场景，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及负载切换等应用。其封装形式为TO-220，这种封装形式提供了良好的散热性能和电气连接能力。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏极电流：36A
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　总功耗：170W
　　结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

ST36N10D的主要特性包括：
　　1. 高效能：得益于低导通电阻的设计，能够显著降低功率损耗。
　　2. 高可靠性：支持高达150℃的工作结温，适合恶劣环境下的使用。
　　3. 快速开关性能：具备短的开关时间和低输入电容，非常适合高频开关应用。
　　4. 稳定性强：具有良好的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持稳定的性能。
　　5. 封装坚固：采用标准的TO-220封装，易于安装并提供优秀的散热效果。
　　这些特性使ST36N10D成为许多功率转换和电机控制应用的理想选择。

应用

ST36N10D广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）：如AC-DC适配器、充电器等。
　　2. DC-DC转换器：在汽车电子或工业设备中实现电压调节。
　　3. 电机控制：用于驱动小型直流电机或步进电机。
　　4. 负载切换：保护电路免受过流或短路的影响。
　　5. 电池管理系统：监控和管理电池充放电过程中的电流和电压。
　　通过其强大的电流处理能力和快速的开关性能，ST36N10D能够满足多种复杂应用场景的需求。