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MMSZ18T1G 发布时间 时间:2025/5/8 13:31:06 查看 阅读:7

MMSZ18T1G是一种玻璃外壳封装的肖特基势垒二极管,专为低正向电压降和快速开关特性设计。该器件广泛应用于高频整流、续流保护以及电源电路中,具有高效率和低损耗的特点。其紧凑的外形使得它适合于空间受限的应用环境。
  肖特基二极管因其独特的结构而具备较低的正向压降(典型值约为0.3V),同时支持快速的反向恢复时间,使其成为许多电子电路中的关键组件。

参数

最大正向电流:2A
  峰值反向电压:200V
  正向电压降(IF=1A):0.65V
  反向漏电流(VR=200V,Tj=25°C):小于或等于1uA
  结电容:约7pF
  工作温度范围:-65°C至+175°C

特性

MMSZ18T1G拥有以下显著特性:
  1. 低正向电压降,减少功耗并提高效率。
  2. 快速开关性能,适用于高频应用。
  3. 玻璃封装提供高可靠性,可承受恶劣的工作条件。
  4. 高温操作能力,能够在极端环境下稳定运行。
  5. 小型化设计节省PCB板上的空间。
  6. 反向恢复时间短,有助于降低电磁干扰(EMI)。
  这些特点使MMSZ18T1G成为众多工业及消费类电子产品中的理想选择。

应用

MMSZ18T1G主要应用于以下领域:
  1. 开关电源中的整流器。
  2. 脉宽调制(PWM)控制器的续流二极管。
  3. 太阳能逆变器和电池管理系统。
  4. 各种电机驱动和LED照明电路。
  5. 通信设备中的高频信号处理模块。
  6. 笔记本电脑适配器和其他便携式设备的充电解决方案。
  凭借其高性能和稳定性,该二极管能够满足不同应用场景的需求。

替代型号

MMSZ19T1G, MMSZ20T1G, 1SS148

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MMSZ18T1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)18V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 12.6V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)45 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称MMSZ18T1GOSDKR