MMSZ10VBW 是一款常见的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),由ON Semiconductor生产。该器件主要用于电压调节、过压保护和参考电压源等应用场景。MMSZ10VBW 的齐纳电压标称值为10V,适用于需要稳定电压输出的电子电路中。其采用SOD-123封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):10V(标称值)
容差:±5%(Tolerance)
最大耗散功率(Pd):300mW
最大反向电流(Izmax):200mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-123
MMSZ10VBW 具有良好的电压稳定性和快速响应能力,适合用于各种电压调节和保护电路。
该器件采用先进的硅平面工艺制造,确保了其在宽温度范围内具有稳定的齐纳电压特性。
低动态阻抗是MMSZ10VBW的重要特性之一,这使得其在负载变化时仍能保持良好的电压稳定性。
由于其封装体积小、功耗低,MMSZ10VBW广泛应用于便携式电子设备、电源管理系统、电池供电设备和嵌入式控制系统中。
此外,MMSZ10VBW的快速响应时间使其适用于需要快速过压保护的电路设计。
MMSZ10VBW 常用于各种电子系统的电压参考源设计,例如ADC/DAC参考电压、稳压电路反馈网络等。
它也广泛应用于电源管理模块中,用于提供过压保护功能,防止后级电路因电压异常而损坏。
在通信设备中,MMSZ10VBW可用于保护敏感的模拟和数字电路免受静电放电(ESD)和瞬态电压的影响。
此外,MMSZ10VBW还被用于传感器信号调理电路中,以确保传感器输出信号的稳定性。
在汽车电子系统中,该器件可作为电压基准或保护元件,用于车载电源、仪表盘和控制模块中。
MMSZ10VBLT1G, MMSZ10VT1, BZX84C10