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SG2004J 发布时间 时间:2025/5/22 22:25:29 查看 阅读:19

SG2004J是一种高性能的功率MOSFET驱动器芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动以及逆变器等场景。该芯片具有高输入阻抗和快速响应特性,能够有效地驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。其设计旨在降低功耗并提高系统的整体效率,同时具备良好的抗噪能力和稳定性。
  SG2004J采用双通道输出结构,支持独立的高端和低端驱动,并且内置了欠压锁定保护(UVLO)功能以确保安全工作。此外,芯片还集成了死区时间控制,避免在高频切换时出现直通电流问题。

参数

供电电压:10V~20V
  输出电流:峰值可达1.5A
  输入门槛电压:1.2V
  传播延迟:约80ns
  工作温度范围:-40℃~125℃
  封装形式:SOIC-8

特性

SG2004J的主要特性包括:
  1. 高速驱动能力,适用于高频应用环境。
  2. 内置死区时间控制器,有效防止交叉导通现象。
  3. 欠压锁定保护(UVLO),确保芯片在不稳定的供电条件下可靠运行。
  4. 支持宽泛的工作电压范围,适应多种电源系统需求。
  5. 良好的电磁兼容性(EMC),减少外部干扰对性能的影响。
  6. 小型化SOIC-8封装,便于PCB布局设计。

应用

SG2004J常见于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级驱动。
  2. 直流无刷电机(BLDC)驱动电路。
  3. 太阳能逆变器及UPS不间断电源系统。
  4. LED驱动器中用于调光与恒流控制。
  5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 电动车充电器及其他需要高效功率管理的领域。

替代型号

IR2104S, SI2182DS

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SG2004J参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型7 NPN 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500μA,350mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)-
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 350mA,2V
  • 功率 - 最大值-
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-55°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳16-CDIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商器件封装16-CERDIP