MMST5551-7-F
时间:2023/4/3 10:42:41
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概述
制造商:DiodesInc.
产品种类:双极小信号
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:NPN
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-323
集电极—发射极最大电压VCEO:160V
发射极-基极电压VEBO:6V
最大直流电集电极电流:0.2A
功率耗散:200mW
最大工作频率:300MHz
最大工作温度:+150℃
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
MMST5551-7-F推荐供应商
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- MMST5551-7-F
- 万三科技(深圳)有限公司
- 55000000
- Diodes Incorporated
- 23+/-
-
MMST5551-7-F参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路
- 系列-
- 晶体管类型NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)160V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大)-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
- 功率 - 最大200mW
- 频率 - 转换300MHz
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装SOT-323
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称MMST5551-FDITR