FQT7N10L 时间：2025/12/23 21:10:03 阅读：24

FQT7N10L 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于各种电源管理场景。
　　其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能和电气稳定性。由于其出色的性能参数，FQT7N10L 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率传输的电路中。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏电流：14A
　　最大栅极源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗：140W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装：TO-263

特性

FQT7N10L 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代电力电子应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
　　4. 采用 TO-263 封装，提供优异的热性能和机械强度。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　这些特性使 FQT7N10L 成为高性能功率转换和控制的理想选择。

应用

FQT7N10L 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. 电机驱动和逆变器中的功率控制元件。
　　3. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
　　4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的高侧或低侧开关。
　　其高效率和可靠性使其特别适合于汽车、通信、消费电子以及工业应用。