KIA7032AF-RTK 是一款由KEC(韩国电子部件公司)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面条形FET技术,具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于各种高效能电源系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
KIA7032AF-RTK 具有出色的电气性能和热性能,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。该器件采用先进的平面技术,确保了高可靠性和稳定性,适合在高电流和高功率环境中使用。此外,其TO-252封装形式不仅有助于良好的散热性能,还便于安装在印刷电路板上。
该MOSFET具有高耐压能力,漏源电压可达30V,能够承受较高的电压应力,适用于多种电源转换器、DC-DC变换器和电池管理系统。其栅极驱动电压范围为±20V,提供了良好的控制性能和灵活性。
在保护性能方面,KIA7032AF-RTK具备良好的过热保护和短路耐受能力,能够在严苛的工作环境下稳定运行。其高电流承载能力(100A)使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
KIA7032AF-RTK 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池充电和管理系统、电机驱动器、工业自动化设备以及各类高功率电子设备中。其优异的性能使其在需要高效能、高可靠性的系统中表现尤为出色。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1010EZ, FDS6680, NTD4859N