PSMN034-100BS 时间：2025/7/1 19:56:59 阅读：5

PSMN034-100BS 是一款由 NXP（恩智浦）生产的逻辑电平增强型 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，适用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其出色的性能使其在电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和电机驱动等应用中表现出色。
　　PSMN034-100BS 的设计目标是提供高效率和可靠性，同时保持较低的功耗。由于其具有非常低的导通电阻以及快速的开关速度，因此非常适合高频开关应用。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：45A
　　导通电阻（典型值，25°C）：3.6mΩ
　　栅极阈值电压：1.7V~2.8V
　　最大工作结温：175°C
　　封装类型：DPAK (TO-252)

特性

PSMN034-100BS 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
　　2. 快速开关能力，减少开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，提升器件在异常情况下的鲁棒性。
　　4. 支持宽范围的工作温度（-55°C 至 +175°C），适应恶劣环境。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　6. 内置 ESD 保护功能，增强稳定性。
　　这些特点使得 PSMN034-100BS 成为许多高性能电力电子设备的理想选择。

应用

该 MOSFET 器件广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关。
　　2. 工业与消费类电子中的负载开关。
　　3. 各种 DC-DC 转换器拓扑结构中的功率开关。
　　4. 电机控制和驱动电路。
　　5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换元件。
　　6. 电信基础设施中的电源管理解决方案。
　　PSMN034-100BS 的卓越性能确保了它能够在上述各种应用场景中提供稳定且高效的运行表现。