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IPB072N15N3 G 发布时间 时间:2025/5/29 20:50:40 查看 阅读:8

IPB072N15N3 G 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247-3 封装,适用于高电压、高效率的开关应用。其设计目标是提供低导通电阻和快速开关特性,以满足工业和汽车领域对高性能功率转换的需求。
  这款 MOSFET 的耐压能力为 150V,能够承受较高的漏源极电压,并具备优秀的热性能和电气性能。它通常被用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:150V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:7.2A
  导通电阻(典型值):80mΩ
  栅极电荷:36nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247-3

特性

IPB072N15N3 G 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,适合高达 150V 的应用环境。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 80mΩ,有助于降低传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力,得益于其较低的栅极电荷和输出电容,使得该器件非常适合高频开关应用。
  4. 具备优异的雪崩能力和热稳定性,确保在极端条件下的可靠性。
  5. TO-247-3 封装提供良好的散热性能和机械强度,适应严苛的工作环境。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机控制和驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
  5. 汽车电子系统中的功率管理模块。

替代型号

IPA072N15N3 G, IPD072N15N3 G

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IPB072N15N3 G参数

  • 数据列表IPx072,75N15N3 G
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.2 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 270µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs93nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5470pF @ 75V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装PG-TO263-2
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000386664