IPB072N15N3 G 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247-3 封装,适用于高电压、高效率的开关应用。其设计目标是提供低导通电阻和快速开关特性,以满足工业和汽车领域对高性能功率转换的需求。
这款 MOSFET 的耐压能力为 150V,能够承受较高的漏源极电压,并具备优秀的热性能和电气性能。它通常被用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及负载切换等场景。
最大漏源电压:150V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:7.2A
导通电阻(典型值):80mΩ
栅极电荷:36nC
开关速度:快速
封装形式:TO-247-3
IPB072N15N3 G 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,适合高达 150V 的应用环境。
2. 低导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 80mΩ,有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关能力,得益于其较低的栅极电荷和输出电容,使得该器件非常适合高频开关应用。
4. 具备优异的雪崩能力和热稳定性,确保在极端条件下的可靠性。
5. TO-247-3 封装提供良好的散热性能和机械强度,适应严苛的工作环境。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
IPA072N15N3 G, IPD072N15N3 G