时间：2025/5/29 20:50:40
阅读：8
IPB072N15N3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247-3 封装，适用于高电压、高效率的开关应用。其设计目标是提供低导通电阻和快速开关特性，以满足工业和汽车领域对高性能功率转换的需求。
这款 MOSFET 的耐压能力为 150V，能够承受较高的漏源极电压，并具备优秀的热性能和电气性能。它通常被用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及负载切换等场景。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7.2A
导通电阻（典型值）：80mΩ
栅极电荷：36nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247-3
IPB072N15N3 G 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高达 150V 的应用环境。
2. 低导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 80mΩ，有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，得益于其较低的栅极电荷和输出电容，使得该器件非常适合高频开关应用。
4. 具备优异的雪崩能力和热稳定性，确保在极端条件下的可靠性。
5. TO-247-3 封装提供良好的散热性能和机械强度，适应严苛的工作环境。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
IPA072N15N3 G, IPD072N15N3 G
