类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.25mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：85nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DFN5x6

MMPA762Z-LF具备多项高性能特性，使其在功率管理应用中表现优异。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗，提高系统整体效率。这一特性使其特别适用于DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统等高功率应用场景。
　　其次，该MOSFET采用先进的沟槽（Trench）结构设计，进一步优化了导通性能和开关速度。沟槽技术的使用不仅降低了RDS(on)，还提升了器件的耐压能力和热稳定性，从而增强了器件在高功率密度环境下的可靠性。
　　第三，MMPA762Z-LF具有较高的栅极电荷（Qg）特性，适用于中高频开关应用。虽然Qg较高可能增加开关损耗，但在合理设计的驱动电路下，仍可在高频条件下保持良好的效率和稳定性。
　　此外，MMPA762Z-LF的DFN5x6封装提供了优异的散热性能和紧凑的外形尺寸，适合在空间受限的电路板中使用。该封装设计支持双面散热，有助于降低工作温度，延长器件寿命。
　　最后，该器件符合RoHS标准，且不含卤素，满足现代电子设备对环保材料的需求，适用于消费类电子产品、工业控制系统、服务器电源和汽车电子等多种应用场景。

MMPA762Z-LF广泛应用于多个高功率电子系统领域。首先，在电源管理模块中，如同步整流器、DC-DC转换器和负载开关，其低导通电阻和高电流能力可显著提高效率并减少热量产生。
　　其次，在工业自动化设备中，如电机驱动器和伺服控制系统，MMPA762Z-LF能够提供稳定的高电流输出，支持快速响应和精确控制。
　　另外，该MOSFET也适用于服务器和通信设备中的电源系统，支持高密度、高效能的电源架构设计，满足现代数据中心对节能和空间优化的需求。
　　同时，MMPA762Z-LF也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电子控制单元（ECU），其宽工作温度范围和高可靠性能够适应严苛的汽车环境。
　　此外，在消费类电子产品中，如高性能笔记本电脑和电源适配器中，MMPA762Z-LF的紧凑封装和高效能特性使其成为理想的功率开关元件。

SiR176DP-T1-GE3, IPPB90N06S4-03, FDD8880, NVTFS5C471NLWTAG