时间：2025/9/24 15:00:53
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FMM3191DG是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高性能、低功耗的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench MOSFET制造工艺设计而成。该器件专为高效率电源转换应用而优化，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电池供电设备等场景。FMM3191DG封装在DFN2020（双扁平无引脚2.0mm x 2.0mm）的小型化封装中，具有极低的封装寄生电感和良好的热性能，适用于空间受限的便携式电子产品。该MOSFET具备优良的栅极氧化层可靠性，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适合用于车载电子系统中。
FMM3191DG的额定电压为30V，连续漏极电流可达8.5A，在低导通电阻和快速开关速度之间实现了良好平衡。其超小型封装配合优异的电气性能，使其成为现代高密度电源管理设计中的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足工业与消费类电子对绿色制造的需求。由于其出色的热稳定性和电气稳定性，FMM3191DG被广泛用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑、USB PD快充适配器及各类嵌入式电源模块中。
型号：FMM3191DG
制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30 V
最大连续漏极电流(ID)：8.5 A @ TC = 70°C
最大脉冲漏极电流(IDM)：34 A
最大栅源电压(VGS)：±20 V
导通电阻(RDS(on))：10 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 4.25 A
导通电阻(RDS(on))：13 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 4.25 A
阈值电压(VGS(th))：1.0 V ~ 2.0 V
输入电容(Ciss)：590 pF @ VDS = 15 V
输出电容(Coss)：260 pF @ VDS = 15 V
反向恢复时间(trr)：18 ns
栅极电荷(Qg)：8.3 nC @ VGS = 10 V
功耗(PD)：1.5 W
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN2020
安装方式：表面贴装(SMD)
FMM3191DG采用了安森美先进的TrenchFET技术，这种结构通过优化沟道设计显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗并提高整体能效。在VGS=10V时，其典型RDS(on)仅为10mΩ，而在更低驱动电压4.5V下仍可保持13mΩ的低阻值，这使得它能够在多种驱动条件下高效运行，尤其适用于采用逻辑电平控制信号的应用场景。该器件具备非常低的栅极电荷Qg（仅8.3nC），有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频工作的效率，特别适合用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。
该MOSFET的封装为DFN2020（2.0mm×2.0mm），体积小巧，极大节省PCB布局空间，同时具备良好的散热能力，底部有暴露焊盘以增强热传导性能。其热阻RθJA约为100°C/W，确保在有限空间内也能实现可靠的热管理。得益于小型化封装与高性能的结合，FMM3191DG非常适合用于移动设备和便携式电源系统中。
此外，FMM3191DG具有出色的雪崩能量承受能力和坚固的栅氧层设计，提高了器件在瞬态过压和浪涌条件下的可靠性。其反向恢复时间trr仅为18ns，体二极管响应速度快，减少了交叉导通期间的能量损耗，有利于提高桥式拓扑结构中的系统效率。所有这些特性共同使FMM3191DG成为高性能、高可靠性的功率开关解决方案，在工业、消费电子和汽车电子领域均有广泛应用前景。
FMM3191DG因其高电流承载能力、低导通电阻和小尺寸封装，被广泛应用于各类高效电源管理系统中。常见用途包括同步降压转换器中的主开关或整流开关，尤其在多相VRM（电压调节模块）设计中表现出色；也可作为升压转换器中的功率开关元件，用于LED背光驱动或便携设备中的电压提升电路。此外，该器件常用于负载开关电路，控制电源路径的通断，例如在智能手机和平板电脑中用于启用/禁用特定功能模块（如摄像头、Wi-Fi模组）以节省待机功耗。
在电池供电系统中，FMM3191DG可用于电池保护电路或充电管理单元中的通路控制开关，凭借其低RDS(on)有效减少压降和发热，延长电池续航时间。其AEC-Q101认证也使其适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源管理及车内照明控制等汽车电子应用。此外，在USB Type-C和PD快充适配器中，该MOSFET可用于次级侧同步整流，提升转换效率并满足高功率密度的设计要求。其他应用场景还包括服务器电源、FPGA供电、电机驱动以及各类嵌入式电源模块等。
SI2302DDS
