时间：2025/8/25 6:28:56
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MMP60R360PTH是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和良好的热性能，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电设备等场景。MMP60R360PTH采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）@25°C：180A
导通电阻（Rds(on)）：3.6mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：65nC @ Vgs=10V
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
功耗（Ptot）：150W
MMP60R360PTH具有多个关键性能优势，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为3.6mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达180A的连续漏极电流，在高功率应用中表现出色。其高功率耗散能力（150W）和先进的PowerFLAT封装技术，使得MMP60R360PTH具备良好的热管理性能，适用于紧凑型设计。此外，该MOSFET具有较高的栅极电荷（Qg为65nC），虽然在高频开关应用中需考虑驱动损耗，但其性能仍可满足大多数电源转换器的需求。MMP60R360PTH还具备出色的雪崩耐受能力和抗短路能力，提升了器件在严苛工作环境下的可靠性。
MMP60R360PTH广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
1. DC-DC转换器：适用于高效率、高电流输出的同步整流拓扑结构。
2. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制和保护电路。
3. 电机驱动与控制：适用于工业自动化、机器人和电动车控制系统。
4. 电源管理模块：如服务器电源、通信设备电源和工业电源。
5. 负载开关和热插拔电路：利用其低导通电阻和高电流承载能力实现高效能控制。
STL180N6F7AG, IPP180N10N3G, IPW60R360PFD
