时间：2025/5/23 0:00:59
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CMFB664J4150HANT是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升电路效率并降低热损耗。
此型号中的CMFB系列以高可靠性和高效能著称，特别适用于需要高电流承载能力和高频工作的应用环境。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：41A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ
栅极电荷Qg：95nC
总功耗Ptot：315W
工作温度范围Tj：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
CMFB664J4150HANT具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)仅为1.5mΩ），可以有效减少功率损耗，适合高电流应用场景。
2. 快速开关性能，支持高频工作环境，有助于减小磁性元件体积并优化整体设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 提供卓越的热性能，确保在高功率密度设计中的稳定性。
5. 支持宽泛的工作温度范围，适应多种工业和汽车级应用需求。
6. 采用TO-247封装形式，便于散热处理并兼容传统安装方式。
该芯片的主要应用领域包括：
1. 开关电源(SMPS)及AC-DC适配器设计。
2. 各类DC-DC转换器，如降压或升压拓扑结构。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 大功率LED驱动电路及其他相关电力电子应用。
CMFB664J4150EANT, CMFB664J4150DANT
