时间：2025/8/6 8:12:48
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MMO175-08IO7 是一款由 STMicroelectronics 生产的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该型号属于ST的STripFET? F7系列，采用了先进的沟道技术，提供了卓越的导通性能和较低的开关损耗。MMO175-08IO7 专为高效率电源转换应用设计，例如在服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、DC-DC转换器以及电动汽车充电系统中广泛应用。该器件采用TO-247封装，便于安装和散热，能够承受高电流和高电压的工况。
类型：N沟道MOSFET
工作电压：80V
连续漏极电流：175A
导通电阻：Rds(on) = 2.5mΩ（典型值）
功率耗散：320W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：TO-247
栅极电荷：Qg = 220nC（典型值）
短路耐受能力：有
雪崩能量耐受：有
MMO175-08IO7 MOSFET 采用STMicroelectronics先进的STripFET? F7技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的开关性能，能够显著降低功率损耗，提高系统能效。其Rds(on)值仅为2.5mΩ，使得在高负载电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而减少发热，提高整体系统可靠性。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高转换效率，特别适用于高频开关应用。
此外，MMO175-08IO7具备良好的热管理和过载保护能力，能够在高温度环境下稳定工作，最大工作温度可达175°C，适合在苛刻的工作条件下使用。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，确保在异常工作状态下器件不会立即损坏，提高了系统的稳定性和安全性。
在封装方面，TO-247封装设计不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，能够有效传导和散发工作过程中产生的热量，确保器件在高负载条件下仍能正常运行。TO-247封装也广泛用于高功率电子设备中，兼容性强，易于集成到各种电源系统中。
MMO175-08IO7 MOSFET 适用于多种高功率、高效率的电力电子系统。主要应用包括服务器和电信电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的电源模块。由于其高电流能力和优异的导通性能，该器件在需要高效率、高可靠性的应用中表现出色，是许多高功率应用的理想选择。
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