时间：2025/8/24 9:48:29
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2SB859-C是一种PNP型双极性晶体管（BJT），通常用于高频和低噪声放大应用。这款晶体管具有良好的高频响应特性，适用于射频（RF）和中间频率（IF）放大器设计。该器件采用小型塑料封装，适合在有限空间内使用，同时具备可靠的性能。
晶体类型：PNP型BJT
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗：300mW
频率范围：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
封装形式：TO-92
2SB859-C晶体管的主要特性包括高频操作能力和低噪声性能，这使其非常适合射频和音频放大电路。此外，该晶体管具有较高的电流增益，能够在不同档位提供稳定的放大性能。其塑料封装不仅节省空间，而且具备良好的热稳定性和机械强度，适合各种电子设备的应用。2SB859-C的低功耗设计也有助于延长设备的使用寿命。
这款晶体管的高可靠性使其在工业和消费电子领域中广泛使用。其高频响应特性能够满足无线通信设备的需求，同时在低噪声放大器中也表现出色。2SB859-C的设计允许其在不同的工作条件下保持稳定性能，这使其成为许多电子电路设计的理想选择。
2SB859-C晶体管广泛应用于射频放大器、中间频率放大器、音频放大器以及低噪声放大电路中。此外，它还常用于无线通信设备、收音机、电视机和便携式电子产品中的信号放大。由于其小型封装和高性能特性，它在许多电子设备中被用来替代较大的晶体管。
2SB859-O, 2SB859-Y, BC557
