时间：2025/7/23 15:52:46
阅读：5
MMFTN3018W是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有优异的导通和开关性能。其封装形式为DFN5x6，具有紧凑的尺寸，适用于高密度PCB布局。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：70A
导通电阻(RDS(on))：8.2mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：DFN5x6
MMFTN3018W具有非常低的导通电阻（RDS(on)）特性，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高整体效率。在VGS=10V时，RDS(on)的典型值为8.2mΩ，这使得该MOSFET非常适合用于高效率的DC-DC转换器和负载开关应用。
此外，该器件的额定漏极电流为70A，能够在高负载条件下提供稳定的性能。这种高电流能力结合低RDS(on)，使其在高温工作环境下也能保持良好的热性能。
MMFTN3018W的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路，同时确保了栅极氧化层的可靠性。其Trench MOSFET结构优化了电场分布，从而提高了器件的耐用性和稳定性。
该MOSFET的DFN5x6封装不仅体积小，便于在紧凑的PCB布局中使用，而且具有良好的散热性能，有助于降低工作温度并提高长期可靠性。封装材料符合RoHS标准，支持环保应用。
MMFTN3018W广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电源管理模块以及高电流负载开关。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换系统的理想选择。
在服务器和电信设备中，MMFTN3018W可以用于多相降压转换器，以提供高效率和高稳定性的电压调节。在电动工具和电池供电设备中，该MOSFET可作为主开关，实现高效的能量传输。
此外，该器件还可用于电机驱动、电源分配系统和高功率LED照明驱动电路。由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，特别适合空间受限但需要高可靠性的应用。
STL30N3LLH5, IPD30N3LLH5-ATMA
