晶体管类型：PNP
　　封装类型：SOT-363
　　最大集电极-发射极电压(Vceo)：50V
　　最大集电极电流(Ic)：100mA
　　最大功耗(Pd)：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益(hFE)：110-800（根据不同等级）
　　过渡频率(fT)：100MHz
　　配置：双晶体管阵列

MMDT5401的主要特性包括其双晶体管配置，使得该器件非常适合需要两个匹配晶体管的应用。其SOT-363封装设计不仅节省空间，还具备良好的热管理和电气性能。
　　每个晶体管的最大集电极-发射极电压为50V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低功率应用。集电极电流最大可达100mA，确保在信号放大和开关电路中的可靠性。
　　该器件的电流增益范围广泛，从110到800不等，用户可以根据具体需求选择适合的增益等级。过渡频率达到100MHz，使其在高频放大器设计中表现优异。
　　此外，MMDT5401的工作温度范围宽广，最高可达150°C，适用于在严苛环境下运行的工业设备。该器件的封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。

MMDT5401广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要双晶体管配置的设计中。它常用于音频放大器、差分放大电路以及模拟信号处理电路中，提供高保真信号放大功能。
　　在电源管理系统中，MMDT5401可用于构建低功耗开关电路，控制电源的分配与调节。其高频特性也使其适用于射频（RF）前端模块中的信号调节和驱动电路。
　　此外，该器件还常见于消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，用于实现紧凑而高效的电路设计。在工业自动化和控制系统中，MMDT5401用于传感器信号放大、逻辑控制和继电器驱动等应用场景。
　　由于其良好的匹配性和稳定性，MMDT5401也常用于温度传感器、电压调节器和电流镜等精密模拟电路中。

BC850, BC860, MMBT5401