HZM7BTL 是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用,具有低导通电阻(Rds(on))和良好的热稳定性。由于其封装形式为SOT-223,适合用于空间受限的设计中,例如DC-DC转换器、电源管理系统以及负载开关等应用场景。HZM7BTL在工业自动化设备、汽车电子、消费类电子产品中均有广泛应用。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):最大35mΩ @ Vgs=4.5V
功耗(Pd):1W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOT-223
HZM7BTL具有多项显著特性,首先是其低导通电阻,使其在导通状态下具有较小的功率损耗,提高了系统的整体效率。其次,该MOSFET采用了ROHM的先进沟槽式技术,使得在较小的芯片面积下仍能实现较低的Rds(on),有助于缩小PCB尺寸并提高功率密度。
此外,HZM7BTL采用SOT-223封装,具有良好的热管理性能,适用于高密度贴片安装,且具备较高的机械强度和热稳定性。该器件还具备较高的抗浪涌能力和良好的短路耐受性能,适合在严苛的电气环境中使用。
其栅极驱动电压范围为±12V,兼容常见的驱动IC,便于设计工程师在多种电路拓扑中使用。同时,该器件的快速开关特性也有助于降低开关损耗,提升整体系统的响应速度与效率。
最后,HZM7BTL的无铅封装符合RoHS环保标准,满足现代电子产品对绿色环保材料的要求,适用于消费类、工业类及汽车电子等多种应用领域。
HZM7BTL主要应用于以下领域:
1. DC-DC转换器:由于其低导通电阻和快速开关特性,HZM7BTL非常适合用于升压、降压及反相转换器中作为主开关器件,提升转换效率并减小整体体积。
2. 电池管理系统:在便携式电子设备或电动车电池管理中,可用于高边或低边开关控制,实现对电池充放电的有效管理。
3. 负载开关控制:用于智能电源管理电路中,作为控制负载通断的高效开关元件,减少静态功耗。
4. 电机驱动电路:在小型电机控制或步进电机驱动电路中,可作为高效功率开关使用。
5. 工业自动化设备:如PLC、传感器模块、继电器替代方案等,实现高可靠性和高效率的电源控制。
6. 汽车电子应用:包括车载充电器、电动助力转向系统(EPS)辅助电源管理等场景。
Si2302DS, FDN340P, AO3400A, IRLML6401