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MMDT3904TB6_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 10:58:32 查看 阅读:18

MMDT3904TB6_R1_00001是一款双NPN晶体管,常用于高频放大和开关应用。该器件采用SOT-363封装,适合空间受限的高密度电路设计。

参数

晶体管类型:NPN双晶体管
  集电极电流:100mA
  最大功耗:200mW
  过渡频率:250MHz
  封装类型:SOT-363

特性

MMDT3904TB6_R1_00001具有优异的高频性能和低饱和电压特性,这使得它在射频放大器和高速开关电路中表现出色。此外,该器件的双晶体管设计允许在单个封装中实现多种电路功能,从而减少了电路板空间的占用。其SOT-363封装还具有良好的热稳定性和机械强度,适合在恶劣环境中使用。
  该晶体管的制造采用了先进的硅外延工艺,确保了其在高频工作下的稳定性和可靠性。此外,其低噪声系数和高增益特性使其非常适合用于射频前端放大器和混频器等应用。MMDT3904TB6_R1_00001还具有良好的线性度,使其在模拟信号处理中表现出色。

应用

MMDT3904TB6_R1_00001广泛应用于无线通信设备、射频放大器、高速开关电路以及各种便携式电子设备中。

替代型号

MMBT3904, 2N3904, BC847

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MMDT3904TB6_R1_00001参数

  • 现有数量3,735现货
  • 价格1 : ¥3.02000剪切带(CT)4,000 : ¥0.57641卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)40V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)50nA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大值225mW
  • 频率 - 跃迁300MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装SOT-563