BAS85LT1 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的双极性高速开关二极管,采用SOT-23小型封装,适用于高频开关和信号整流应用。该器件由两个独立的二极管组成,通常用于需要快速恢复时间和低反向漏电流的电路中。
类型:双极性开关二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大平均整流电流(IO):100mA
峰值浪涌电流(IFSM):2A
反向漏电流(IR):100nA(最大)
正向压降(VF):1.25V @ 100mA
恢复时间(trr):4ns
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
BAS85LT1 采用高速硅外延技术,具备非常短的反向恢复时间(trr),使其适用于高频开关环境。其双二极管结构允许独立使用或并联使用以提升电流能力。
该器件在低正向压降和低反向漏电流之间取得了良好的平衡,确保了在高频率下仍能保持较高的能效。此外,BAS85LT1 具备较强的浪涌电流承受能力(IFSM 达到2A),可在短暂过载情况下保持稳定运行。
封装方面,SOT-23 是一种广泛使用的表面贴装封装,具有良好的热性能和空间节省优势,适合高密度PCB设计。同时,该器件的工作温度范围宽,适用于工业级和汽车电子应用环境。
BAS85LT1 广泛应用于高频开关电源、信号检测电路、电压钳位电路、电荷泵电路、逻辑门电路中的隔离元件,以及通信设备中的信号整流和保护电路。
由于其高速特性和低漏电流,该器件特别适合用于数字通信接口中的ESD保护和信号整流。此外,它还可用于电源管理模块中的电感续流二极管或反激式变换器中的箝位电路。
在汽车电子领域,BAS85LT1 常用于车载电源系统、CAN总线接口保护电路以及车载娱乐系统的信号处理模块。
1N4148WS, BAS70LT1, BB115, BAR6403