时间：2025/6/20 14:20:13
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MMDF3N04HD是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，采用增强型场效应晶体管（e-mode HEMT）设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高效率等特性，广泛适用于高频电源转换应用。其封装形式为行业标准的TO-263-3L（DPAK），适合表面贴装工艺，同时能够承受较高的结温。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：无（由于GaN技术无反向恢复损耗）
工作温度范围：-55℃至+150℃
MMDF3N04HD使用了先进的氮化镓半导体材料，相比传统硅基MOSFET，具备更低的导通电阻和开关损耗，能够显著提升功率转换系统的效率。
GaN技术允许该器件在高频条件下工作，从而减小了系统中的磁性元件体积和重量。
此外，它支持零电压开关（ZVS）拓扑结构，进一步降低了开关噪声和电磁干扰。
器件采用了坚固的增强模式设计，无需负栅极驱动，简化了电路设计并提高了可靠性。
得益于较低的热阻和耐高温能力，MMDF3N04HD非常适合紧凑型设计和恶劣环境下的应用。
这款功率晶体管主要应用于高频DC-DC转换器、图腾柱PFC电路、无线充电发射端、激光雷达驱动以及各种工业电源系统中。
其出色的性能使其成为需要高效率、高功率密度解决方案的理想选择。
同时，它也适用于消费电子领域中的快充适配器，以实现更小尺寸和更快充电速度。
MMDG4N04LD, GAN043-650WSA
