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GA1206Y223KXJBT31G 发布时间 时间:2025/5/28 17:48:29 查看 阅读:12

GA1206Y223KXJBT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信应用设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和低失真的特点,能够满足现代通信系统对信号质量的严格要求。
  其主要功能是将输入的射频信号进行放大,以实现更高的输出功率,从而提高通信系统的覆盖范围和传输距离。

参数

型号:GA1206Y223KXJBT31G
  工作频率范围:450 MHz 至 960 MHz
  输出功率:38 dBm(典型值)
  增益:16 dB(典型值)
  效率:55%(典型值)
  电源电压:5.0 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN-16

特性

GA1206Y223KXJBT31G 具备以下关键特性:
  1. 高线性度:在宽广的工作频率范围内保持低失真性能,适用于多载波应用。
  2. 内置匹配网络:减少了外部元件的需求,简化了电路设计并提高了可靠性。
  3. 高效率:优化的电路设计确保了高效的功率转换,降低了功耗和热损耗。
  4. 稳定性强:具备过温保护和过流保护功能,能够在极端条件下安全运行。
  5. 小型化设计:紧凑的封装尺寸适合空间受限的应用场景。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:
   - GSM/EDGE/LTE 网络中的射频信号放大。
  2. 工业设备:
   - 工业级无线通信模块和设备中使用。
  3. 消费电子产品:
   - 蓝牙设备、Wi-Fi 模块等需要高效功率放大的场合。
  4. 物联网 (IoT):
   - 提供更强的信号覆盖能力以支持远程传感和数据传输。

替代型号

GA1206Y223KXJBT32G, GA1207Y223KXJBT31G

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GA1206Y223KXJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-