类型：MOSFET继电器（光继电器）
　　负载电压（最大）：350V
　　连续负载电流（最大）：260mA
　　接通电阻（典型）：9Ω
　　输入-输出耐压：5000Vrms
　　响应时间（开）：1ms
　　响应时间（关）：0.5ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SSIP-4（超小型独立引脚）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　LED正向电流（IF）：50mA
　　LED反向电压（VR）：5V
　　输出漏电流（IDOFF）：1μA（最大）

G3VM-353E1的最大特性之一是其超小型表面贴装封装（SSIP-4），这使得它非常适合高密度印刷电路板设计。相较于传统的DIP封装继电器，该器件显著节省了PCB空间，有助于实现电子设备的小型化和轻量化。其封装结构经过优化，具备良好的热稳定性和机械强度，能够在自动贴片过程中承受回流焊的高温而不影响性能。该器件的输入侧采用标准红外LED，可在低至5mA的正向电流下可靠触发，兼容TTL和CMOS逻辑电平，因此可以直接连接微处理器或数字逻辑电路进行控制，无需外加驱动晶体管或缓冲器，从而简化了外围电路设计。
　　另一个关键特性是其输出端采用一对背对背连接的功率MOSFET结构，这种设计使其能够处理交流和直流负载，并有效防止反向电流流动。MOSFET的导通电阻低至9Ω（典型值），减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。同时，该器件在关断状态下具有极低的漏电流（最大1μA），确保了负载的完全断开，避免了待机功耗问题。其高达5000Vrms的输入-输出隔离电压提供了出色的电气安全保护，适用于医疗设备、工业控制系统等对绝缘要求较高的场合。
　　G3VM-353E1还具备优异的抗干扰能力和长寿命优势。由于是固态器件，不存在机械磨损问题，理论上可实现无限次开关操作。它不受外部磁场影响，也不会产生电磁噪声，适合在精密仪器和高频环境中使用。此外，该器件响应速度快，开通时间仅为1ms，关断时间仅0.5ms，远快于传统电磁继电器，适用于需要快速切换的应用。其宽工作温度范围（-20°C至+85°C）也保证了在恶劣环境下的稳定运行。

G3VM-353E1广泛应用于需要高可靠性、小尺寸和低功耗控制的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的信号切换、传感器接口控制以及小型执行器的驱动。由于其高隔离电压和抗干扰能力，也被广泛用于医疗电子设备中，如病人监护仪、诊断仪器和便携式医疗装置，确保患者安全和信号完整性。在测试与测量设备中，该器件可用于自动测试设备（ATE）的通道切换、数据采集系统的多路复用控制以及精密电源管理电路。
　　通信设备也是G3VM-353E1的重要应用领域，例如在电信交换系统、网络路由器和基站控制单元中用于信号路径的选择与隔离。其低电容和低漏电流特性有助于保持信号质量，减少串扰。在消费类电子产品中，该器件可用于智能家电、智能家居控制系统中的负载开关，例如灯光控制、加热元件通断等。此外，在电池供电的便携式设备中，得益于其低驱动电流和低功耗特性，G3VM-353E1成为理想的开关元件，有助于延长电池续航时间。其表面贴装封装也使其非常适合大规模自动化生产，广泛应用于现代SMT生产线。

G3VM-61E1
　　G3VM-41E1
　　TLP222G
　　TLP3543