时间：2023/11/8 17:57:22
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类别：分离式半导体产品
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.1A, 3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：630pF @ 24V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-SOIC (窄型)
其它名称：MMDF2C03HDR2GOSMMDF2C03HDR2GOS-NDMMDF2C03HDR2GOSTR
