时间：2025/5/16 8:36:23
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AONS21307 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的 N 沣道沟功率 MOSFET。这款器件采用先进的制造工艺，具备出色的导通电阻和开关性能，适合在各种高效率电源管理应用中使用。
该 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88，支持表面贴装技术，具有较低的热阻和电感，从而提升了整体性能和可靠性。AONS21307 主要面向消费电子、工业设备以及通信设备中的高效能转换电路设计。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：55nC
总电容（输入电容）：3940pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
AONS21307 提供了超低的导通电阻（Rds(on)），这对于降低传导损耗至关重要，特别是在大电流应用中。其优化的栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色。
此外，该器件的 LFPAK88 封装设计提供了卓越的散热性能，允许更高的电流密度而不牺牲可靠性。
AONS21307 还具有快速开关速度，能够有效减少开关损耗，并且其坚固的设计确保了在严苛环境下的长期稳定性。
AONS21307 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器及通信电源等场景。
由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件特别适合需要高效率和高功率密度的应用场合。例如，在多相供电系统中，它可以作为同步整流 MOSFET 使用，以实现更低的能量损失和更高的系统效率。
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