时间：2025/10/30 0:38:31
阅读：58
JS28F320J3D75是英特尔（Intel）推出的一款并行接口的NOR闪存芯片，属于其StrataFlash家族中的C3系列。该器件采用先进的MirrorBit技术，能够在单个存储单元中存储两个比特的数据，从而在不增加芯片物理尺寸的情况下显著提升存储密度。JS28F320J3D75的容量为32兆位（即4兆字节），组织结构为16位宽的数据总线，适合用于需要高可靠性和快速随机访问的应用场景。该芯片广泛应用于工业控制、网络设备、嵌入式系统以及需要代码执行（XIP, eXecute In Place）功能的场合。由于其非易失性特性，断电后数据仍可长期保存，同时支持在线编程和擦除操作，方便固件更新与维护。该器件的工作电压通常为3.0V至3.6V，兼容低功耗设计需求，并提供多种封装形式，便于在不同PCB布局中使用。尽管英特尔已将其NOR闪存业务出售给美光科技，后续支持可能由美光或第三方供应商延续，但JS28F320J3D75仍在许多现有系统中稳定运行，具备良好的市场兼容性和技术支持文档基础。
型号：JS28F320J3D75
制造商：Intel
存储类型：NOR Flash
存储容量：32 Mbit (4 MB)
组织结构：2M x 16位
工艺技术：MirrorBit
工作电压：3.0V ~ 3.6V
读取访问时间：75ns
接口类型：并行（地址/数据复用或非复用模式）
封装形式：TSOP-56 或 FBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
编程电压：内部电荷泵生成
擦除方式：扇区擦除、整片擦除
写保护功能：硬件WP#引脚支持
总线宽度：16位（可配置为x8/x16）
JS28F320J3D75采用独特的MirrorBit技术，这是一种基于氮化物陷阱的电荷存储机制，与传统浮栅型闪存不同，它将两个独立的数据位分别存储在同一单元的不同物理位置，通过改变电荷注入的方向实现双比特存储。这种结构不仅提高了存储密度，还降低了制造成本和单元间的干扰效应，提升了整体可靠性。该技术使得在相同晶圆面积上可以实现更高的容量，同时保持良好的耐久性和数据保持能力。该芯片支持高速读取操作，典型访问时间为75纳秒，能够满足实时系统对快速指令获取的需求，特别适用于需要直接从闪存执行代码的应用环境，如嵌入式微控制器系统、路由器启动ROM等。此外，其并行接口提供了较高的数据吞吐率，在固件加载和频繁读取操作中表现出色。
为了增强系统稳定性，JS28F320J3D75集成了丰富的命令集，支持软件数据保护机制，防止因意外写入或电源波动导致的误操作。同时，硬件写保护引脚（WP#）可在外部电路层面锁定存储区域，进一步提升安全性。该器件支持按扇区进行擦除（最小擦除单位通常为64KB或更小），允许局部更新而无需全片擦除，延长了使用寿命并提高了灵活性。每个扇区可承受高达10万次的擦写周期，数据可保存长达20年，满足工业级应用的严苛要求。内置的电荷泵确保编程电压自动生成，简化了外部电源设计。此外，器件支持低功耗待机模式，适合电池供电或节能型系统使用。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能在恶劣环境下稳定运行，广泛用于通信设备、工控模块、医疗仪器等领域。
JS28F320J3D75主要应用于需要高可靠性、快速随机读取和代码就地执行（XIP）能力的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络基础设施设备，如路由器、交换机和防火墙，其中该芯片用于存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和关键配置数据。由于其快速启动特性和稳定的读取性能，非常适合用作主控MCU或MPU的外置程序存储器。在工业自动化领域，该器件常被集成于PLC控制器、HMI人机界面和远程I/O模块中，用于存放固件和运行参数。消费类电子产品中的高端机顶盒、打印机主控板和智能家电也广泛采用此类NOR Flash来保障系统的稳定启动和运行。此外，在电信设备、基站控制单元和VoIP网关中，JS28F320J3D75因其出色的耐用性和长期供货保障而受到青睐。车载电子系统中的一些信息娱乐模块和车身控制单元也曾使用该型号进行程序存储，尤其是在对电磁兼容性和温度适应性有较高要求的设计中。由于其并行接口带宽较高，适合频繁读取小块数据的场景，因此在需要快速响应和高可用性的系统中具有不可替代的优势。尽管近年来串行NOR Flash（如SPI QPI）因引脚数少、成本低而逐渐普及，但在高性能、大流量并行数据传输需求下，JS28F320J3D75仍具竞争力。
MT28EW32ADA-75 WT
