类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOT-23
　　齐纳电压（Vz）：39V（@ Iz = 20μA）
　　最大齐纳电流（Izmax）：200mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　动态阻抗（Zz）：约 800Ω（@ Iz = 1mA）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流（IR）：100nA（@ VR = 10V）

MMBZ5259B-39V 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和温度补偿特性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的齐纳电压。该器件采用 SOT-23 小型封装，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其低动态阻抗确保了在负载变化时输出电压的稳定性，适用于高精度的电压参考电路。此外，该器件具有较高的最大功耗和齐纳电流能力，可在中等功率应用中提供可靠的电压调节性能。
　　该齐纳二极管的制造工艺确保了良好的一致性与重复性，使其适用于自动化生产流程。其低反向漏电流特性在低功耗设计中尤为重要，有助于减少静态功耗并提高系统效率。MMBZ5259B-39V 的工作温度范围较宽，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。

MMBZ5259B-39V 主要用于以下应用场景：电压参考源、电源稳压电路、过压保护电路、信号调节电路、电池管理系统（BMS）、工业控制设备、汽车电子模块、测试与测量仪器等。该器件特别适用于需要高精度、高稳定性的电压参考源设计，如 ADC/DAC 基准电压源、比较器参考电压等。
　　此外，该齐纳二极管还可用于保护敏感电子元件免受瞬态电压或过压事件的影响，例如在电源输入端或通信接口中作为电压钳位器件使用。在开关电源设计中，它也可用于反馈环路中提供稳定的参考电压，以确保输出电压的精度。

MMBZ5259BLT1G-39V, BZX84C39, MMSZ5259B-39V, 1N4759A