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AON6884 发布时间 时间:2025/5/9 10:05:49 查看 阅读:8

AON6884 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合于需要高效功率转换的应用场景。
  该芯片主要应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种消费类电子产品的电源管理领域。

参数

型号:AON6884
  类型:N 沟道 MOSFET
  封装:SOT-23
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):75mΩ
  IDS(持续漏极电流):3.9A
  VGS(栅源极电压):±20V
  功耗:0.7W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  栅极电荷(Qg):3.5nC

特性

AON6884 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为 75mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 小型封装:采用 SOT-23 封装,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
  3. 快速开关性能:低栅极电荷使得 AON6884 在高频应用中表现出色,能够有效减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的温度区间,适用于各种严苛的工作环境。
  5. 高可靠性:经过严格测试,确保在不同应用场景中的稳定性和耐用性。

应用

AON6884 主要应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的电源管理电路。
  2. 笔记本电脑适配器和 USB-PD 控制器的同步整流。
  3. DC-DC 转换器及降压/升压拓扑中的开关元件。
  4. 消费类电子产品中的负载开关功能。
  5. 小型电机驱动控制。
  6. 各种电池供电设备中的保护和切换电路。

替代型号

AON6886, AON6887, AON6888

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AON6884参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.3 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1950pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(5x6)
  • 包装带卷 (TR)